سامسونگ اعلام کرد: افزایش تولید چیپ‌ست‌های 10 نانومتری – پروسه‌های 8 و 6 نانومتری هم در راه‌اند

تاریخ : 1395/12/29        نویسنده: مسعود بهرامی شرق
برچسب‌ها : پردازنده Processor ، سیستم روی تراشه SoC (System on a Chip) ، cpu ، سامسونگ Samsung

واحد خبر mobile.ir : هرچه تراشه‌ها کوچک‌تر می‌شوند، ساختن آنها به شکل مناسب برای کمپانی‌ها دشوارتر خواهد بود. حدود 2 هفته پیش بود که خبری منتشر شد مبنی بر اینکه میزان تولید چیپ‌ست با پروسه 10 نانومتری FinFET در شرکت سامسونگ رضایت‌بخش نبوده و لذا دیوایس‌هایی که قرار است به چیپ‌ست‌های اسنپدراگون 835 و Exynos 8895 مجهز شوند، با قدری تأخیر وارد بازار خواهند شد. چیپ‌ست Helio X30 نیز که با پروسه 10 نانومتری TSMC به تولید می‌رسد، به همین سرنوشت دچار شد. حتی چند روز بعد شایعه شد که تاریخ عرضه Galaxy S8 – که به چیپ‌ست 10 نانومتری Exynos 8895 مجهز خواهد بود – با تأخیری یک هفته‌ای از 21 به 28 آوریل موکول شده است. اما سرانجام سامسونگ با انتشار یک خبر به همه این بحث‌ها خاتمه داد.

samsung to ramp up production of the 10nm finfet process

کمپانی سامسونگ الکترونیکس در روز چهارشنبه 15 مارس 2017 (25 اسفند 1395) در وب‌سایت خبری خود اعلام کرد که در حال بالا بردن ظرفیت تولید چیپ‌ست با تکنولوژی 10 نانومتری FinFET است. تاکنون تنها 2 چیپ‌ست اسنپدراگون 835 و Exynos 8895 با تکنولوژی 10 نانومتری تولید شده‌اند، لذا می‌توان این طور برداشت کرد که منظور سامسونگ، تولید انبوه این تراشه‌های 10 نانومتری بوده است. طبق ادعای سامسونگ، این کمپانی تاکنون بیش از 70 هزار قرص سیلیکونی (یا در اصطلاح wafer) تولیدشده با نسل اول معماری 10 نانومتری LPE – موسوم به 10LPE -- را عرضه کرده است. گفتنی است سامسونگ تولید انبوه 10LPE را در اکتبر سال 2016 کلید زد، که در آن مقطع، این اتفاق برای نخستین بار در دنیای صنعت رخ می‌داد.

در سال 2015 بود که سامسونگ برای نخستین بار در دنیا، تکنولوژی 14 نانومتری FinFET LPE را برای پروسسورهای مبتنی بر ساختار 3 بُعدی FinFET معرفی نمود. از آن زمان به بعد، سامسونگ جنبه‌های قدرت، عملکرد و مقیاس‌پذیری تکنولوژی‌های 14 و 10 نانومتری FinFET را به شکل موفقیت‌آمیزی بهبود بخشیده است.

samsung to ramp up production of the 10nm finfet process

جانگشیک یون (Jongshik Yoon)، معاون اجرایی و رییس کسب‌وکار نیمه‌رساناها (Foundry Business) در شرکت سامسونگ، بر این باور است که معماری 10 نانومتری LPE سامسونگ، قاعده بازی را در صنعت نیمه‌رساناها تغییر خواهد داد. وی وعده داده که به دنبال ورژن 10‌LPE، معماری‌ 10 نانومتری در ورژن‌های LPP و LPU نیز به ترتیب تا پایان سال 2017 و سال 2018 به تولید انبوه برسند. وی افزود: «ما همچنان به ارائه رقابت‌پذیرترین پروسه تکنولوژی در این صنعت ادامه خواهیم داد.»

نکته جالب دیگری که در خبرگزاری رسمی سامسونگ به آن اشاره شده، اضافه شدن تکنولوژی‌های 8 نانومتری و 6 نانومتری به برنامه‌های این شرکت است. مسلم است که قدرت، عملکرد و مقیاس‌پذیری پروسه‌های 8 و 6 نانومتری، در مقایسه با پروسه‌های کنونی بیشتر خواهد بود.

در پایان گفتنی است نقشه راه تکنولوژی سامسونگ به همراه جزییات فنی مربوط به آن – از جمله پروسه‌های 8 و 6 نانومتری – قرار است برای نخستین بار در نشست نیمه‌رساناهای سامسونگ در آمریکا – موسوم به U.S Samsung Foundry Forum – برای مشتریان و شریک‌های سامسونگ تشریح شود. این نشست در 24 می 2017 (3 خرداد 1396) برگزار خواهد شد. 

منبع : Samsung

ایسام