خیز بلند ژاپن برای آینده: برنامه شرکت Rapidus برای پیش تولید فناوری 2 نانومتری در سال 2025

نمایش خبر

فهرست اخبار
تاریخ : 1401/11/8        نویسنده: آرش افراسیابی
برچسب‌ها : نیمه هادی Semiconductor
واحد خبر mobile.ir : دور شدن از جغرافیای بحران‌‌آفرین و انتقال فرایندهای ساخت پردازنده به درون مرزهای وطنی یکی از کلیدی‌ترین و جدیدترین استراتژی‌های فعالان دنیای نیمه‌هادی و دولت‌های متبوع آن‌هاست و رویدادهایی مثل به‌کارگیری تراشه‌های ساخت آمریکا در محصولات آینده اپل، تشویق به سرمایه‌گذاری 12 میلیارد دلاری TSMC برای ساخت تراشه 3 نانومتری در آریزونای آمریکا و تلاش مدیاتک برای گسترش زنجیره تأمین تولیدکنندگان فراتر از تایوان در زمره این فعالیت‌ها جای می‌گیرند. در جدیدترین رویداد از این دست، Rapidus، تراشه‌ساز مورد حمایت دولت ژاپن تقریبا هم‌زمان با سامسونگ و TSMC از پیش‌تولید لیتوگرافی 2 نانومتری در سال 2025 سخن گفته است.

شرکت Rapidus چندی پیش در نوامبر 2022 از قصد خود برای حضور در عرصه ساخت نیمه‌هادی‌های پیشرفته و تولید انبوه در سال 2027 سخن به میان آورد. میزان سرمایه‌گذاری در این شرکت که جدا از حمایت دولتی، هشت سرمایه‌گذار بزرگ از جمله نام‌های شناخته‌شده‌ای مثل Toyota Motor، سونی و NTT را در کنار خود می‌بیند در نهایت به 5 تریلیون ین (چیزی نزدیک به 38 میلیارد دلار آمریکا) خواهد رسید که از این مبلغ 7.3 میلیارد ین از طرف هشت کمپانی سرمایه‌گذار تأمین می‌شود و دولت نیز پیشنهادی 70 میلیارد ینی را در قالب حمایت‌ها و سوبسیدها مطرح کرده است.

تتسورو هیگاشی (Tetsuro Higashi) ریاست سابق شرکت Tokyo Electron (تأمین‌کننده تجهیزات ساخت تراشه) به‌عنوان رئیس هیأت مدیره Rapidus انتخاب شده و آتسویوشی کویکه (Atsuyoshi Koike) که پیش از این هدایت تیم چیپ حافظه وسترن دیجیتال ژاپن را بر عهده داشت بر کرسی ریاست این مجموعه تکیه زده است. کویکه موفقیت Rapidus را «آخرین شانس» برای بازگشت به بازاری می‌داند که تلاش‌های قبلی ژاپن برای سرمایه‌گذاری در آن در دهه 2010 با شکست مواجه شده بود.

صنعت نیمه‌هادی ژاپن با حمایت‌های دولتی در دهه 1970 شکل گرفت و پایه‌گذار گرو‌های الکترونیکی رقابتی در سطح جهانی همچون هیتاچی و NEC شد به‌طوری‌که در اواخر دهه 1980 شرکت‌های ژاپنی با در اختیار داشتن نیمی از سهم بازار، مارکت جهانی را در کنترل خود داشتند. درآمد این مجموعه‌ها اما در سال‌های بعد با تنش‌های تجاری با آمریکا رو به کاهش گذاشت و این در حالی بود که تراشه‌سازان تایوانی و کره جنوبی در همین زمان رشد چشمگیری را تجربه کردند. کاهش ظرفیت سرمابه‌گذاری کمپانی‌های ژاپنی (به‌عنوان فاکتوری ضروری جهت توسعه و تولید انبوه محصولات پیشرفته) از توان رقابتی آن‌ها برای کوچک‌سازی تراشه‌ها کاسته و به یک خلاء تکنولوژیکی نزدیک به 10 ساله در دهه 2010 انجامید. در این میان تراشه‌سازان کره جنوبی و تایوانی به سرمایه‌گذاری گسترده حتی در دوران رکود اقتصادی ادامه دادند و با کنار زدن رقبای ژاپنی، مدل کسب وکار بسیار سودآوری را پایه‌ریزی کردند.

تلاش جدید ژاپن برای زنده کردن مجدد صنعت نیمه هادی در میانه تنش رو به گسترش آمریکا و چین بر سر تایوان رخ می‌دهد؛ تایوان در حال حاضر نزدیک به 90 درصد از ظرفیت تولید را در پیشرفته‌ترین گروه نیمه‌هادی‌ها (با لیتوگرافی‌های کوچک‌تر از 10 نانومتر) در اختیار دارد و ایجاد یک بحران در این منطقه می‌توان دسترسی ژاپن به نیمه‌هادی مدرن را به‌طور کامل قطع کند. بر همین اساس ژاپن و آمریکا در ماه می سال گذشته میلادی روند همکاری و توسعه مشترکی را بر سر نیمه هادی‌ها آغاز کردند که برپایی یک هاب تحقیقاتی مشترک در آمریکا با نظارت هیگاشی و همکاری با IBM‌ در زمره این فعالیت‌ها به‌حساب می‌آید. همکاری Rapidus با IBM بر پایه یک قرارداد همکاری مشترک در اواخر سال 2022 شکل گرفته که در آن توسعه تکنولوژی گره 2 تانومتری برای اجرا در کارخانه Rapidus ژاپن مد نظر خواهد بود و پرسنل شرکت ژاپنی از تخصص IBM بهره‌مند می‌شوند. IBM در سال 2021 از توسعه اولین چیپ مبتنی بر گره 2 نانومتری خبر داد که 45 درصد عملکرد بهتر و 75 درصد مصرف انرژی کم‌تری را نسبت به چیپ‌های 7 نانومتری ارائه می‌کند.

آتسویوشی کویکه ریاست شرکت Rapidus حالا در گفت‌وگو با Nikkei Asia در روز چهارشنبه 25 ژانویه 2023 (5 بهمن 1401) از قصد این شرکت برای ارائه نخستین نمونه‌های اولیه نیمه‌‌هادی‌های 2 نانومتری در نیمه اول سال 2025 خبر داد. این محدوده زمانی به‌گفته کویکه برای رسیدن به هدف اصلی شرکت برای تولید انبوه این فناوری در اواخر دهه 2020 ضروری‌ست و Rapidus را چندان دورتر از رقیب اصلی آن یعنی TSMC که تولید 2 نانومتری در مقیاس انبوه را در سال 2025 آغاز می‌کند قرار نمی‌دهد.

Rapidus در ماه مارچ در مورد محل تأسیسات ساخت نمونه اولیه تصمیم‌گیری می‌کند که پس از پایان مرحله اول برای تولید انبوه این فناوری نیز به‌کار گرفته خواهد شد. مکان مد نظر علاوه بر لزوم دسترسی به منابه با ثبات آب و الکتریسیته باید توانایی جذب آسان استعدادهای داخلی و خارجی را نیز داشته باشد. ساخت نیمه هادی‌های 2 نانومتری که قرار است در کاربردهای هوش مصنوعی و ابَر کامپیوترها به‌کار گرفته شده چالش فناورانه بزرگی را ایجاد می‌کند به این علت که ساخت نیمه هادی در این سیستم به معماری کاملا متفاوتی از نسل‌های قبلی (چیپ‌های 12 تا 28 نانومتری) نیاز دارد. به‌گفته کویکه برای آغاز توسعه این روند به 2 تریلیون ین (15 میلیارد دلار) سرمایه نیاز است و تولید انبوه نیز نیازمند 3 تریلیون ین (23 میلیارد دلار) دیگر خواهد بود.

منبع : Nikkei Asia