واحد خبر mobile.ir : پژوهشگران واحد مهندسی و فیزیک دانشگاه لنکستر (Lancaster) بریتانیا در تاریخ 5 ژانویه سال جاری میلادی (15 دی 1400)، مقاله‌ای منتشر کرده‌اند که در آن به جزئیات مرتبط با تولید انبوه UltraRAM و نوآوری‌های صورت‌گرفته در این زمینه پرداخته‌اند. این گروه از محققان به مدت چند سال در حال کار روی این نوع جدید از حافظه بوده‌اند و به نظر می‌رسد حالا با دستیابی به راه‌حل کامل، امکان تولید این محصول در شمار بالا فراهم آمده است. UltraRAM فناوری جدید حافظه است که ویژگی غیر فرار (nonvolatile) بودن فلش‌های ذخیره‌سازی را با سرعت، کارایی انرژی و دوام حافظه‌هایی همچون DRAM ترکیب کرده است.

در واقع UltraRAM را می‌توان نوعی حافظه چندمنظوره (universal memory) دانست که می‌تواند تمام نیازهای حافظه (شامل رم و فضای ذخیره‌سازی) را در رایانه‌های شخصی و سایر دستگاه‌ها برآورده سازد. البته پیش از این نیز شاهد مطرح شدن ایده‌های مشابه و اجرایی نشدن آن‌ها بوده‌ایم که از آن جمله می‌توان به رم مقاومتی (resistive RAM)، رم مغناطیسی مقاومتی (magnetoresistive RAM) و حافظه تغییر فاز (phase-change memory) اشاره کرد؛ طرح‌هایی که در نهایت تأثیرات مورد نظر در برخی گزارش‌های اولیه را در پی نداشتند و در عمل توفیقی به دست نیاوردند. علاوه بر این، فناوری حافظه Optane اینتل که برای پر کردن خلأ میان DRAM و فضای ذخیره‌سازی طراحی شده نیز، این شکاف را به طور کامل پر نمی‌کند و از همین رو، تراشه‌ساز آمریکایی سال گذشته راهکار Optane را برای رایانه‌های دسک‌تاپ از خط تولید خود خارج کرد.

در طراحی UltraRAM از خواص منحصربه‌فرد نیمه‌رساناهای ترکیبی استفاده شده است که معمولاً در دستگاه‌های فوتونی مانند LED، لیزرها و حس‌گرهای مادون قرمز به کار می‌رود. بنا بر ادعای محققان، آخرین نمونه سیلیکونی ساخته‌شده از این فناوری در مقایسه با قرص‌های نیمه‌هادی آرسنید گالیوم عملکرد بسیار درخشان‌تری داشته است.

محققان از جمله نقاط قوت و مزایای استفاده از UltraRAM را «امکان ذخیره‌سازی داده حداقل تا 1000 سال»، قابلیت سوئیچ سریع و چرخه پاک کردن برنامه‌ «از یک‌صد تا یک هزار بار بیشتر از حافظه فلش» عنوان کرده‌اند. با افزودن چنین توانایی‌هایی به سرعت، بهره‌وری انرژی و دوام DRAM، با احتمال تولید محصولی مواجه خواهیم بود که در عرصه ذخیره‌سازی یک انقلاب به شمار می‌رود.

ظاهراً UltraRAM برای از میان بردن خلأ میان رم و فضای ذخیره‌سازی و یکپارچه‌سازی این دو توسعه یافته است. بنابراین، دست کم از لحاظ نظری می‌توان این فناوری را به عنوان راه‌حلی برای نیازهای متفاوت حافظه، در قالب یک محصول، نگریست. در یک سیستم رایانه شخصی، این امر بدان معناست که با نصب یک UltraRAM، مثلاً 2 ترابایتی، نیاز کاربر به حافظه رم و هارد به طور هم‌زمان پوشش داده خواهد شد.

این تغییر مهمی است که اگر در نهایت مطابق مدعای کنونی پژوهشگران عمل کند، می‌تواند روند «پردازش درون حافظه» یا in-memory processing را، که توسط سازندگانی مانند سامسونگ پشتیبانی می‌شود، تقویت کند. همچنین، همان طور که اشاره شد، با UltraRAM فضای ذخیره‌سازی با رم دستگاه در یک قرص سیلیکونی یکی می‌شود. از این رو و در صورت تحقق این ایده، استفاده از UltraRAM در سرورها، رایانه‌های شخصی، دستگاه‌های هوشمند، کنسول‌های بازی و مواردی از این دست دور از انتظار نخواهد بود. به علاوه، اگر سرعت این فناوری جدید حافظه به اندازه کافی بالا باشد، احتمالاً می‌تواند جایگزین فناوری‌هایی همچون GDDR (حافظه‌های DDR که به طور خاص برای واحد پردازش گرافیکی طراحی شده‌اند) و HBM (حافظه‌های با پهنای باند بالا) شود.

البته قیمت‌گذاری UltraRAM هم از دیگر مسائل مهم در ارتباط با تولید انبوه آن است. چرا که اگر قیمت نهایی این محصول رقابتی نباشد، نرخ پذیرش و امکان ایجاد تحول توسط آن کاهش خواهد یافت. البته هنوز نمی‌توان در خصوص قیمت این فناوری به جمع‌بندی نهایی رسید، اما محققان به هر حال از پیشرفت در زمینه تولید انبوه آن ابراز خشنودی کرده‌اند.

پژوهشگران دانشگاه لنکستر در پایان این مقاله افزوده‌اند که به تلاش خود برای بهبود کیفیت، تنظیم دقیق فرآیند ساخت و پیاده‌سازی و گسترش کاربرد UltraRAM ادامه خواهند داد.