آغاز تولید اولیه چیپ 4 نانومتری در TSMC از فصل سوم 2021

نمایش خبر

فهرست اخبار
تاریخ : 1400/3/17        نویسنده: آرش افراسیابی
برچسب‌ها : تی اس ام سی TSMC
واحد خبر mobile.ir : شرکت تولید‌کننده نیمه‌هادی تایوان که از آن به‌اختصار با نام TSMC یاد می‌شود بزرگ‌ترین کارخانه سازنده (foundry) قراردادی نیمه‌هادی در دنیاست که وطیفه ساخت چیپ‌ست‌های طراحی شده از طرف شرکت‌هایی بزرگی همچون کوالکام، مدیاتک، اپل و بسیاری دیگر از نام‌های بزرگ دنیای فناوری را بر عهده دارد. این شرکت که در حال حاضر به ساخت چیپ‌ست‌های پیشرفته 5 و 6 نانومتری برای شرکت‌های مختلف مشغول است به‌تازگی در نشست سالیانه این کمپانی از آغاز مرحله تولید موسوم به Risk production برای چیپ‌های 4 نانومتری از سه‌ماهه سوم سال 2021 خبر داده است. در این میان خبرهای دیگری نیز از زمان‌بندی تولید پروسه 3 نانومتری در این مجموعه منتشر شده است.

گره فرایند (process node) که از آن با عنوان گره فناوری (technology node) و لیتوگرافی ساخت نیز یاد می‌شود به فرایند ویژه‌ای در ساخت نیمه‌هادی و روش‌های طراحی‌ آن اشاره دارد که در آن با هر چه کوچک‌تر شدن گره فرایند و کوچک‌تر شدن ترانسیستورها، قدرت بیشتری تولید شده و در مصرف انرژی نیز صرفه‌جویی می‌شود. برای به‌دست دادن معیاری در این زمینه می‌توان به چیپ‌ست A13 سال 2019 اپل اشاره کرد که در ساختار گوشی‌های سری iPhone 11 این شرکت به‌کار گرفته شده بود؛ این چیپ‌ست که با لیتوگرافی 7 نانومتری ساخته شده بود مجموعا 8.5 میلیارد ترانسیستور را در خود جای داده بود. یک سال بعد در چیپ‌ست 5 نانومتری A14 Bionic حاضر در خانواده iPhone 12، تعداد ترانسیستورها در یک میلی‌متر مربع به 134.09 میلیون افزایش پیدا کرد و تعداد کل ترانسیستورها نیز به 11.8 میلیارد رسید.

برای نمونه‌ای دیگر می‌توان به چیپ‌ست 5 نانومتری M1 اپل اشاره کرد که به‌عنوان جایگزینی برای پروسسورهای اینتل در کامپیوترهای مک به‌کار گرفته شده و از 16 میلیارد ترانسیستور بهره می‌برد. خبرهای تأیید نشده از آغاز ساخت چیپ‌ست M2 اپل در مجموعه TSMC خبر می‌دهند هرچند هنوز جزییات دیگری در مورد مشخصات و فرایند ساخت این چیپ‌ست منتشر نشده است. بدین‌ترتیب نگفته پیداست که کوچک‌تر شدن لیتوگرافی به معنای تعداد بیش‌تر ترانسیستورها و در نتیجه افزایش قدرت چیپ‌ست پردازشی بوده و در زمینه مصرف انرژی شرایط کاملا بهینه‌تری ایجاد می‌شود.

TSMC در گردهمایی سالیانه خود که دستاوردهای این مجموعه را در طی یک سال مرور می‌کند از یک فصل جلو بودن نسبت به برنامه از پیش تعیین شدن برای ساخت چیپ‌های 4 نانومتری خبر داد؛ به گفته TSMC، چیپ‌های 4 نانومتری از همان طراحی اجزای چیپ‌های 5 نانومتری بهره می‌برند اما با کوچک شدن فرایند ساخت طبیعتا با قدرت بالاتر، مصرف انرژی کمتر و ترانسیستورهای متراکم‌تری روبرو می‌شویم. فرایند تولید موسوم به Risk production این چیپ‌ها برای سه‌ماهه سوم سال 2021 زمان‌بندی شده که این خبر با توجه به این‌که در حال حاضر در ماه پایانی سه‌ماهه دوم سال 2021 به‌سر می‌بریم به معنای امکان آغاز این فرایند از یک ماه آینده خواهد بود.

سی.سی وِی (C.C. Wei) مدیرعامل شرکت TSMC در این گردهمایی ضمن اشاره به این نکته که امروزه افراد از تکنولوژی برای فائق آمدن بر موانعی که پاندمی برای ارتباط، همکاری و حل مشکلات ایجاد کرده، استفاده می‌کنند، فرایند دیجیتالی شدن را عاملی برای دگرگونی هرچه سریع‌تر جوامع دانست. Wei افزود: «این دگرگونی دیجیتالی جهان تازه‌ای پر از فرصت‌ها را پیش روی صنعت نیمه‌هادی گشوده است. هم‌اندیشی فناوری جهانی ما نمایانگر بسیاری از راه‌های افزایش و گسترش نمونه کارهای فناورانه ما برای به مرحله عمل درآوردن ابتکارات مشتریان‌مان است.»

در همین رابطه همچنین اطلاعاتی در مورد لیتوگرافی 3 نانومتری TSMC که از آن با عنوان N3 node یاد می‌شود ارائه شد؛ جایی‌که صحبت از 15 درصد سرعت بیشتر یا 30 درصد مصرف کمتر (با تعداد ترانسیستور یکسان) به میان آمده است. در این رابط علاوه بر این از آغاز پروسه ساخت کارخانه 12 میلیارد دلاری TSMC در آریزونای آمریکا خبر داده شد؛ مجموعه‌ای که در سال 2024 به فاز تولید وارد شده و در آن زمان به تولید چیپ‌های 5 نانومتری خواهد پرداخت. این فناوری البته با توجه به نقطه‌ای که صنعت در سال 2024 به آن دست پیدا می‌کند دو لیتوگرافی از پیشرفته‌ترین فناوری گره عقب خواهد بود.

در این دوره از گردهمایی TSMC که برای دومین سال پیاپی به‌دلیل پاندمی کرونا به‌صورت آنلاین برگزار شد همچنین از فرایند N6RF این شرکت پرده برداشته شده که در طی آن از پروسه 6 نانومتری برای ساخت RF نسل پنجمی و اجزای مرتبط با وای‌فای 6 و 6e استفاده می‌شود. این راه‌کار در مقایسه با نسل قبلی با فناوری 16 نانومتری RF با 16 درصد بهبود روبرو شده است. از دیگر گزینه‌های به‌نمایش درآمده در سمپوزیوم باید به راه‌کار موسوم به InFO_B اشاره کرد که در آن یک پروسسور قدرتمند موبایلی در یک پکیج باریک و فشرده تلفیق شده و بدین‌ترتیب امکان جای‌گذاری DRAM در همان پکیج برای سازندگان موبایل فراهم می‌شود.

منبع : TSMC


ایسام