واحد خبر mobile.ir : کمپانی سامسونگ الکترونیکس – که از پیشگامان صنعت حافظه و ذخیره‌سازی محسوب می‌شود – معمولا در عرضه تراشه‌های مبتنی بر تکنولوژی‌های جدیدتر، زودتر از بقیه برندها دست به کار می‌شود. سامسونگ جزو نخستین برندهایی بود که تراشه‌های ذخیره‌‌سازی مبتنی بر استانداردهای UFS 2.1 ،UFS 2.0 و UFS 3.0 را تولید نمود. استاندارد UFS 3.0 به بسیاری از اسمارت‌فون‌های رده بالا، از جمله سری Galaxy S20، دیوایس‌های وان‌پلاس در سال 2019 و همچنین سری شیائومی می 10، راه پیدا کرد. حال، سامسونگ در روز سه‌شنبه 17 مارچ 2020 (27 اسفند 1398) از آغاز تولید انبوه نخستین حافظه 512 گیگابایتی از نوع eUFS 3.1 برای استفاده در پرچمدارها خبر داد.

به گفته چئول چوی (Cheol Choi)، معاون اجرایی بخش فروش و بازاریابی حافظه در سامسونگ، با معرفی سریع‌ترین حافظه موبایلی از سوی سامسونگ، کاربران اسمارت‌فون دیگر لازم نیست بابت تنگناها و تأخیرهایی که هنگام استفاده از کارت‌های حافظه قدیمی‌تر با آن مواجه می‌شدند، نگران باشند. طبق ادعای سامسونگ، حافظه eUFS 3.1، سرعت 1 گیگابایت بر ثانیه در حافظه‌های اسمارت‌فون را شکسته و سرعت نوشتن در آن، در مقایسه با نسل قبلی حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.0، سه برابر شده است.

سامسونگ سرعت متوالیِ نوشتن در eUFS 3.1 را بیش از 1,200 مگابایت بر ثانیه اعلام کرده که به این ترتیب، بیش از دو برابر سرعت حافظه PC مبتنی بر SATA (یعنی 540 مگابایت بر ثانیه) و بیش از 10 برابر سرعت کارت‌های میکرو اس‌دی UHS-I (یعنی 90 مگابایت بر ثانیه) خواهد بود. با این اوصاف، کاربران در هنگام ذخیره‌سازی فایل‌های سنگین، مثل ویدئوهای 8K یا چند صد عکس حجیم، در گوشی‌های خود، می‌توانند سرعت یک نوت‌بوک فوق باریک را تجربه کنند، آن هم بدون هیچ گونه بافرینگ. به طریق مشابه، در انتقال محتوا از گوشی قدیمی به گوشی جدیدتر نیز، به زمان کمتری نیاز خواهد بود. بنا بر آنچه سامسونگ در معرفی eUFS 3.1 جدید اعلام کرده، انتقال 100 گیگابایت داده در اسمارت‌فون‌های مجهز به این نوع حافظه، تنها 1.5 دقیقه زمان می‌برد. این در حالی‌ست که برای جابه‌جایی همین حجم از داده در گوشی‌هایی که حافظه آنها از نوع UFS 3.0 است، بیش از 4 دقیقه زمان لازم خواهد بود.

از منظر عملکرد رندوم، سرعت پردازش در حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.1 تا 60 درصد سریع‌تر از ورژن UFS 3.0 است. توانایی این حافظه جدید در خواندن تصادفی برابر با 100 هزار عملیات ورودی و خروجی در ثانیه (IOPS) و در نوشتن تصادفی 70 هزار IOPS عنوان شده است. لازم به ذکر است، این حافظه جدید علاوه‌بر 512 گیگابایت، در نمونه‌های 256 و 128 گیگابایتی نیز به تولید می‌رسد. اینکه اسمارت‌فون‌هایی مثل Galaxy Note 20 و گوشی تاشوی بعدی سامسونگ (با نام احتمالی Galaxy Fold 2) به این نوع حافظه مجهز باشند، دور از انتظار نیست.

در ماه جاری میلادی، سامسونگ تولید انبوه نسل پنجم حافظه‌های V-NAND را در خط تولید X2 در یکی از کارخانه‌های خود در شهر شی‌آن چین آغاز کرد تا بتواند کاملا پاسخگوی تقاضا برای حافظه در سراسر بازار اسمارت‌فون‌های رده‌بالا و پرچمدار باشد. در حال حاضر، سامسونگ حجم قابل‌توجهی از نسل پنجم حافظه‌های V-NAND را در خط تولید P1 واقع در شهر پیونگ‌تائک کره تولید می‌کند، اما قصد دارد به منظور پاسخگویی به تقاضای فزاینده بازار، به جای نسل پنجم، تولید نسل ششم حافظه‌های V-NAND را در خط P1 جایگزین کند.