تولید نخستین حافظه با استاندارد eUFS 3.1 توسط سامسونگ
نمایش خبر
تاریخ : 1399/1/1 نویسنده: مسعود بهرامی شرق | ||
برچسبها : | حافظه ، UFS ، سامسونگ Samsung |
به گفته چئول چوی (Cheol Choi)، معاون اجرایی بخش فروش و بازاریابی حافظه در سامسونگ، با معرفی سریعترین حافظه موبایلی از سوی سامسونگ، کاربران اسمارتفون دیگر لازم نیست بابت تنگناها و تأخیرهایی که هنگام استفاده از کارتهای حافظه قدیمیتر با آن مواجه میشدند، نگران باشند. طبق ادعای سامسونگ، حافظه eUFS 3.1، سرعت 1 گیگابایت بر ثانیه در حافظههای اسمارتفون را شکسته و سرعت نوشتن در آن، در مقایسه با نسل قبلی حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.0، سه برابر شده است.
سامسونگ سرعت متوالیِ نوشتن در eUFS 3.1 را بیش از 1,200 مگابایت بر ثانیه اعلام کرده که به این ترتیب، بیش از دو برابر سرعت حافظه PC مبتنی بر SATA (یعنی 540 مگابایت بر ثانیه) و بیش از 10 برابر سرعت کارتهای میکرو اسدی UHS-I (یعنی 90 مگابایت بر ثانیه) خواهد بود. با این اوصاف، کاربران در هنگام ذخیرهسازی فایلهای سنگین، مثل ویدئوهای 8K یا چند صد عکس حجیم، در گوشیهای خود، میتوانند سرعت یک نوتبوک فوق باریک را تجربه کنند، آن هم بدون هیچ گونه بافرینگ. به طریق مشابه، در انتقال محتوا از گوشی قدیمی به گوشی جدیدتر نیز، به زمان کمتری نیاز خواهد بود. بنا بر آنچه سامسونگ در معرفی eUFS 3.1 جدید اعلام کرده، انتقال 100 گیگابایت داده در اسمارتفونهای مجهز به این نوع حافظه، تنها 1.5 دقیقه زمان میبرد. این در حالیست که برای جابهجایی همین حجم از داده در گوشیهایی که حافظه آنها از نوع UFS 3.0 است، بیش از 4 دقیقه زمان لازم خواهد بود.
از منظر عملکرد رندوم، سرعت پردازش در حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.1 تا 60 درصد سریعتر از ورژن UFS 3.0 است. توانایی این حافظه جدید در خواندن تصادفی برابر با 100 هزار عملیات ورودی و خروجی در ثانیه (IOPS) و در نوشتن تصادفی 70 هزار IOPS عنوان شده است. لازم به ذکر است، این حافظه جدید علاوهبر 512 گیگابایت، در نمونههای 256 و 128 گیگابایتی نیز به تولید میرسد. اینکه اسمارتفونهایی مثل Galaxy Note 20 و گوشی تاشوی بعدی سامسونگ (با نام احتمالی Galaxy Fold 2) به این نوع حافظه مجهز باشند، دور از انتظار نیست.
در ماه جاری میلادی، سامسونگ تولید انبوه نسل پنجم حافظههای V-NAND را در خط تولید X2 در یکی از کارخانههای خود در شهر شیآن چین آغاز کرد تا بتواند کاملا پاسخگوی تقاضا برای حافظه در سراسر بازار اسمارتفونهای ردهبالا و پرچمدار باشد. در حال حاضر، سامسونگ حجم قابلتوجهی از نسل پنجم حافظههای V-NAND را در خط تولید P1 واقع در شهر پیونگتائک کره تولید میکند، اما قصد دارد به منظور پاسخگویی به تقاضای فزاینده بازار، به جای نسل پنجم، تولید نسل ششم حافظههای V-NAND را در خط P1 جایگزین کند.
- سامسونگ Galaxy A55 در نگاه رسانهها – نقاط ضعف و قوت از دید حرفهایها
- معرفی Galaxy C55 – میانرده سامسونگ با SD 7 Gen 1 و شارژر 45 واتی برای بازار چین
- آشنایی با سازوکار شبکه Find My Device و امکانات متنوع آن
- آشنایی با Dimensity 6300 – تراشه 6 نانومتری مدیاتک برای دیوایسهای میانرده اقتصادی
- معرفی گوشی میانرده Y200i vivo با باتری 6 هزار میلیآمپر ساعتی و تراشه SD 4 Gen 2
- معرفی Pura 70 Ultra پرچمدار هواوی با دوربین 1 اینچی و لنز تلسکوپی متحرک با دیافراگم متغیر
- معرفی هواوی Pura 70 Pro ،Pura 70 و +Pura 70 Pro با دوربینهای 50 مگاپیکسلی و چیپ Kirin 9010