تولید تراشههای 3 نانومتری سامسونگ از سال 2022 آغاز میشود
نمایش خبر
تاریخ : 1400/4/23 نویسنده: مسعود بهرامی شرق | ||
برچسبها : | سامسونگ Samsung |
پیش از انتشار نقشه راه جدید سامسونگ، نگرانیهایی در خصوص سالم بودن لیتوگرافی 3 نانومتری سامسونگ مطرح شده بود؛ در ابتدا قرار بر این بود که تولید مخاطرهآمیز (risk production) با استفاده از این لیتوگرافی در سال 2020 و تولید انبوه در سال 2021 رقم بخورد. اما شواهد و قرائن نشان میدهد این امر حداقل یک سال به تعویق افتاده است. جالب است بدانید، دکتر چیدی چیدامبارام (Chidi Chidambaram)، معاونت مهندسی در کوالکام، زمان بهرهبرداری از تکنولوژی لیتوگرافی GAA را بین سالهای 2023 تا 2024 تخمین زده است.
به گفته یکی از مقامات سامسونگ، این شرکت در رابطه با لیتوگرافی 3GAE در حال مذاکره با مشتریان خود بوده و انتظار میرود تراشههای با این لیتوگرافی از سال 2022 به تولید انبوه برسند. لیتوگرافی پس از 3GAE – که سامسونگ نام 3GAP را برای آن انتخاب کرده – همچنان در نقشه راه سامسونگ قرار داشته و تولید انبوه آن (طبق برنامه) از سال 2023 آغاز خواهد شد. بد نیست بدانید، نقشه راهی که از آن صحبت میکنیم، در جریان رویداد Foundry Forum 2021 در چین رونمایی شد. البته سامسونگ با بهروزرسانی نقشه راه فناوری خود، آن را مجددا در Baidu و Weibo نیز منتشر کرد.
در رابطه با استفاده از معماری قدیمیتر FinFET، سامسونگ لیتوگرافیهای 5LPP و 4LPP را به نقشه راه خود اضافه کرده که قرار است بهترتیب در سالهای 2021 و 2022 به بهرهبرداری برسند. هنگام پردهبرداری از لیتوگرافیهای 3GAE و 3GAP در می 2019، سامسونگ اعلام کرد که این لیتوگرافیها در مقایسه با 7LPP (که در حال حاضر لیتوگرافی نسل قبلی محسوب میشود) میتوانند عملکرد چیپست را تا 35 درصد ارتقا داده و تا 50 درصد نیز از میزان مصرف بکاهند.
در همان سال 2019، سامسونگ آغاز تولید انبوه تراشه با استفاده از لیتوگرافی 3GAA را برای اواخر سال 2021 پیشبینی کرده بود، اما با توجه به موکول شدن این امر به سال 2022، میتوان آن را به تأخیر از سوی سامسونگ و یا اشتباه در محاسبات این شرکت نسبت داد. در هر دو صورت، این وقفه چندان برای سامسونگ اهمیت نداشته، زیرا لیتوگرافیهای Early سامسونگ، هنوز در مقیاس گسترده مورد استفاده سازندگان قرار نگرفتهاند.
چند روز پیش بود که سامسونگ از یک تراشه 3 نانومتری با لیتوگرافی 3GAA در مرحله tape-out رونمایی کرد. tape-out در واقع آخرین مرحله از چرخه طراحی یک چیپست به شمار میرود که به یکی از دو پیامد زیر ختم میشود: یا تراشه با این طراحی به خوبی کار میکند و یا طراحی با موفقیت روبرو نمیشود. در هنگام موفق نبودن طراحی، اعمال برخی اصلاحات کوچک و در صورت نیاز، یک بازنگری کلی در طراحی، میتواند راهگشا باشد.
- معرفی Sony Xperia 10 VI – یک گوشی 164 گرمی با SD 6 Gen 1 و صفحهنمایش 21:9
- معرفی Sony Xperia 1 VI با زوم 7.1 برابری دوربین تلهفتو و صفحهنمایش با نرخ رفرش متغیر
- معرفی vivo X100 Ultra با SD 8 Gen 3، دوربین 200 مگاپیکسلی پریسکوپی و دوربین اصلی 1 اینچی
- معرفی GPT-4o دستاورد هوش مصنوعی جدید OpenAI با تواناییهای متنی، صوتی و تصویری
- معرفی vivo X100s و vivo X100s Pro – پرچمدارهایی با +Dimensity 9300 و مجموعه دوربین قدرتمند
- منابع خبری: برنامه Arm برای ارائه تراشههای هوش مصنوعی در سال 2025 میلادی
- معرفی Realme GT Neo6 – میانردهای پیشرفته با SD 8s Gen 3، باتری 5,500mAh و 1 ترابایت حافظه داخلی